一种侵入式脑深部调控系统和脑深部刺激调控装置
技术特征：
1.一种侵入式脑深部调控系统，其特征在于，所述侵入式脑深部调控系统包括密封馈通连接件、主控单元和多根电极束，其中所述密封馈通连接件用于埋入目标患者头部，每根所述电极束上分布有多个电极触点；
2.根据权利要求1所述的侵入式脑深部调控系统，其特征在于，多根所述电极束相互间隔地阵列分布在所述馈通结构的远离所述主控单元的侧面上，其中每根所述电极束上的多个电极触点沿电极束轴向相互紧靠分布。
3.根据权利要求1所述的侵入式脑深部调控系统，其特征在于，所述侵入式脑深部调控系统还包括无线通信单元，其中所述无线通信单元设置在所述密封馈通连接件内部，并与所述主控单元电性连接；
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的侵入式脑深部调控系统，其特征在于，所述主控单元包括电能供给电路、脉冲产生电路、电极束选择电路、脑电信号预处理电路和微控制电路，其中所述电极束选择电路与多根所述电极束各自对应的多个电极触点分别电性连接，所述脉冲产生电路与所述电极束选择电路电性连接；
5.根据权利要求4所述的侵入式脑深部调控系统，其特征在于，所述电能供给电路包括电源转换接口和蓄电池，其中所述蓄电池用于向所述脉冲产生电路、所述电极束选择电路、所述脑电信号预处理电路和所述微控制电路分别供电；
6.一种脑深部刺激调控装置，其特征在于，应用于权利要求1-5中任意一项所述的侵入式脑深部调控系统，所述脑深部刺激调控装置包括：
7.根据权利要求6所述的脑深部刺激调控装置，其特征在于，所述第一电极束筛选模块包括：
8.根据权利要求7所述的脑深部刺激调控装置，其特征在于，所述第二电极束筛选模块包括：
9.根据权利要求8所述的脑深部刺激调控装置，其特征在于，所述第二电极束筛选模块还包括：
10.根据权利要求6-9中任意一项所述的脑深部刺激调控装置，其特征在于，所述脑深部刺激调控装置还包括：
技术总结
本发明提供一种侵入式脑深部调控系统和脑深部刺激调控装置，涉及DBS技术领域。本发明通过将多根电极束安装在用于埋入目标患者头部的密封馈通连接件的馈通结构上，同时通过将主控单元设置在密封馈通连接件内部，并经馈通结构与多根电极束分别电性连接，以驱动与目标患者的实际病症状况适配的至少一根目标电极束进行脑电信号采集，并根据采集到的实际脑电信号驱动每根目标电极束按照与实际病症状况适配的期望电刺激参数进行脑区电刺激，来对目标患者进行治疗，从而有效降低DBS技术实现时的手术穿刺路程、实现成本和患者所受伤害，并通过实现与患者实际病症状况适配的双向闭环自适应刺激调控功能的方式，进一步提升患者病症治疗效果。
技术研发人员：徐如祥,徐江,张澳,张扬,徐超,崔砚
受保护的技术使用者：四川省医学科学院·四川省人民医院
技术研发日：
技术公布日：2024/11/28
技术研发人员：徐如祥,徐江,张澳,张扬,徐超,崔砚
技术所有人：四川省医学科学院·四川省人民医院
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