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用于神经刺激器的接插件和天线的制作方法

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用于神经刺激器的接插件和天线的制作方法


背景技术:

1、存在对诸如植入式脉冲发生器(ipg)的植入式神经刺激装置中的天线系统的改进的需求。电流刺激系统依靠无线通信来维持对植入式神经刺激系统的控制。这种无线通信经常使用一个或多个天线来执行。这种植入式装置的构造具有许多困难,是由于它们必须在其中生存的生物环境以及由于紧凑的尺寸要求。因此,需要针对这种装置的构造技术,其满足要求同时保持构造和制造的容易性。


技术实现思路

1、一个说明性实施例涉及一种植入式脉冲发生器(ipg)。ipg包括被配置为发送数据和接收数据的通信模块、耦接至通信模块并被配置为管理与ipg的识别和特性有关的数据的数据模块、以及被配置为控制由ipg产生一个或多个脉冲的脉冲控制模块。ipg还包括被配置为存储能量的能量存储装置和第一壳体,该第一壳体容纳ipg的至少一部分。此外,ipg包括耦接至通信模块的天线。该天线选择性地电耦接至第一壳体。

2、另一个说明性实施例涉及一种天线系统。该天线系统包括天线,该天线被配置为至少部分地围绕支撑结构弯曲。天线包括至少一个突起开口,该至少一个突起开口被配置为与支撑结构的至少一个突起耦接。所述天线还包括耦接至天线的接地电路;该接地电路被配置为选择性地电耦接至植入式生物医学装置的第一壳体。

3、又一说明性实施例涉及一种植入式骶神经刺激装置。该植入式骶神经刺激装置包括被配置为发送数据和接收数据的通信模块、耦接至通信模块并被配置为管理与ipg的识别和特性相关的数据的数据模块、以及被配置为控制由ipg产生一个或多个脉冲的脉冲控制模块。该植入式骶神经刺激装置还包括能量存储装置,该能量存储装置配置为存储能量。此外,植入式骶神经刺激装置包括神经刺激引线和第一外壳,该神经刺激引线耦接至脉冲控制模块,并配置有刺激骶神经的电极,该第一壳体容纳ipg的至少一部分。此外,天线包括耦接至通信模块的倒f型天线。天线通过至少一个电容器选择性地电耦接至第一壳体。第一壳体为天线提供射频接地参考。

4、本文公开的一个实施例涉及一种植入式脉冲发生器(ipg)。ipg包括容纳能量存储装置的外壳。接插件(header)耦接至外壳。该接插件包括匣盒(cassette)、耦接至匣盒并电耦接至外壳的天线,该外壳被配置为天线的一部分用于接收和传输电磁信号、以及被配置为与匣盒耦接并被配置为与一个或多个电极引线耦接的电极附接结构。

5、另一公开的实施例涉及一种用于植入式生物医学装置的接插件。该接插件包括提供支撑结构的匣盒、耦接至匣盒并且被配置为电耦接至植入式生物医学装置的外壳的天线,该外壳被配置为天线的一部分,用于接收和传输电磁信号。接插件还包括电极附接结构,该电极附接构造被配置为与匣盒耦接并且被配置为与一个或多个电极引线耦接。

6、又一公开的实施例涉及一种植入式脉冲发生器(ipg)。ipg包括容纳能量存储装置的外壳。该ipg还包括耦接至外壳的接插件。该接插件包括提供支撑结构的匣盒、至少部分地围绕匣盒弯曲并通过至少一个电容器电耦接至外壳的天线,该外壳被配置为天线的一部分用于接收和传输电磁信号、被配置为与匣盒耦接并被配置为与一个或多个电极引线耦接的电极附接结构以及用于密封接插件的环氧树脂填充材料。

7、除上述内容外,在构成本文所阐述的公开内容的一部分的权利要求书、附图和文本中描述了其他方面。上述内容为概述,且因此可能包含细节的简化、概括、包含和/或省略。因此,本领域技术人员将理解,该概述仅是描述性的,并且可以进一步参考以下的附图和描述来进行说明。本文所描述的装置和/或过程和/或其他主题的其他方面、特征和优点将在回顾本文所阐述的公开内容后变得显而易见。



技术特征:

1.一种植入式脉冲发生器(ipg),包括:

2.根据权利要求1所述的植入式脉冲发生器,所述ipg还包括第二壳体,所述第二壳体容纳所述天线的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的植入式脉冲发生器,其中,所述第一壳体容纳所述能量存储装置。

4.根据权利要求2所述的植入式脉冲发生器,其中,所述第二壳体是接插件壳体。

5.根据权利要求4所述的植入式脉冲发生器,还包括:

6.根据权利要求1所述的植入式脉冲发生器,其中,所述第一壳体被配置为在所述ipg产生一个或多个脉冲期间用作电极。

7.根据权利要求5所述的植入式脉冲发生器,其中,所述第一壳体为所述天线提供射频接地参考。

8.根据权利要求6所述的植入式脉冲发生器,其中,所述第一壳体通过至少一个电容器耦接接地。

9.根据权利要求7所述的植入式脉冲发生器,其中,所述至少一个电容器作用为用于由所述ipg产生一个或多个脉冲的开路。

10.根据权利要求8所述的植入式脉冲发生器,其中,所述至少一个电容器被配置为在经由所述天线的射频通信期间作用为低阻抗路径。

11.根据权利要求7所述的植入式脉冲发生器,其中,所述天线与所述第一壳体的选择性电耦接由开关电子器件控制。

12.根据权利要求7所述的植入式脉冲发生器,其中,所述天线为倒f型天线。

13.一种用于植入式神经刺激装置的天线,包括:

14.根据权利要求13所述的天线,其中,所述支撑结构包括所述植入式生物医学装置的接插件的匣盒。

15.根据权利要求13所述的天线,其中,所述天线为倒f型天线。

16.根据权利要求13所述的天线,其中,所述植入式生物医学装置是神经刺激装置。

17.根据权利要求16所述的天线,其中,所述接地电路选择性地电耦接至所述神经刺激装置的刺激电路。

18.根据权利要求17所述的天线,其中,所述天线被配置为电耦接至所述植入式生物医学装置的通信模块。

19.根据权利要求13所述的天线,其中,所述接地电路包括至少两个并联电容器。

20.根据权利要求13所述的天线,其中,所述天线包括天线馈电臂,所述天线馈电臂被配置为电耦接至天线馈电连接引脚。

21.根据权利要求20所述的天线,其中,所述天线包括天线短路臂,所述天线短路臂被配置为电耦接至脉冲控制模块连接引脚。

22.一种植入式骶神经刺激装置,包括:

23.一种植入式脉冲发生器(ipg),包括:

24.根据权利要求23所述的ipg,其中,所述接插件还包括电子模块。

25.根据权利要求24所述的ipg,其中,所述接插件还包括耦接至所述匣盒的引线框,所述引线框将所述电极引线耦接至所述电子模块。

26.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述外壳包括多个馈通引脚,所述馈通引脚被配置为突出到所述接插件中,用于耦接至所述电极引线。

27.根据权利要求26所述的ipg,其中,所述电极附接结构包括应变释放装置和止付螺丝块。

28.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述接插件包括x射线识别元件。

29.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述接插件包括用于密封所述接插件的填充材料。

30.根据权利要求29所述的ipg,其中,所述填充材料包括环氧树脂材料。

31.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述天线通过至少一个电容器电耦接至所述外壳。

32.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述天线被配置为围绕所述匣盒弯曲。

33.根据权利要求25所述的ipg,所述天线通过所述匣盒上的至少一个引脚耦接至所述匣盒。

34.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述天线包括倒f型天线。

35.根据权利要求25所述的ipg,其中,所述天线包括贴片天线。

36.一种用于植入式生物医学装置的接插件,包括:

37.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述接插件还包括电子模块。

38.根据权利要求37所述的接插件,其中,所述接插件还包括耦接至所述匣盒的引线框,所述引线框将所述电极引线耦接至所述电子模块。

39.根据权利要求37所述的接插件,其中,所述接插件包括多个孔,所述多个孔被配置为接收耦接至所述外壳的多个馈通引脚。

40.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述电极附接结构包括应变释放装置和止付螺丝块。

41.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述接插件包括用于密封所述接插件的填充材料。

42.根据权利要求41所述的接插件,其中,所述接插件包括一个或多个保持特征,所述保持特征被配置为保持用于所述填充材料的模具。

43.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述匣盒包括第一附接特征,所述第一附接特征被配置为定位所述植入式生物医学装置的外壳上的互补第一附接特征并与之耦接。

44.根据权利要求43所述的接插件,其中,所述匣盒包括第二附接特征,所述第二附接特征被配置为定位所述植入式生物医学装置的外壳上的互补第二附接特征并与之耦接。

45.根据权利要求44所述的接插件,其中,所述第一附接特征使用过盈配合与所述互补第一附接特征耦接,并且所述第二附接特征使用松散配合与所述互补第二附接特征耦接。

46.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述匣盒包括至少一个间隔特征,所述间隔特征被配置为在所述匣盒和所述植入式生物医学装置的外壳之间提供空间。

47.根据权利要求36所述的接插件,其中,所述匣盒包括对准特征,所述对准特征被配置为使得耦接至一个或多个刺激引线的引线触头能够与引线框的触头对准。

48.一种植入式脉冲发生器(ipg),包括:


技术总结
一种植入式脉冲发生器(IPG),包括容纳能量存储装置的外壳和一个或多个电极引线。接插件耦接至外壳。接插件包括匣盒、耦接至匣盒并电耦接至外壳的天线、该外壳被配置为用于接收和传输电磁信号的天线的一部分、以及电极附接结构,其被配置为与匣盒耦接并被配置为与一个或多个电极引线耦接。此外,IPG包括耦接至通信模块的天线。该天线选择性地电耦接至第一壳体。

技术研发人员:H·李,P·马瑟,D·马尔维钦,J·米勒,D·白方,A·文卡塔苏布拉马尼安,P·彼德森,R·贾格迪森
受保护的技术使用者:爱颂尼科公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/26
文档序号 : 【 40127216 】

技术研发人员:H·李,P·马瑟,D·马尔维钦,J·米勒,D·白方,A·文卡塔苏布拉马尼安,P·彼德森,R·贾格迪森
技术所有人:爱颂尼科公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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