一种IGBT测试器件及其制备方法，以及IGBT器件及其制备方法与流程
技术特征：
1.一种igbt测试器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的igbt测试器件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的igbt测试器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的igbt测试器件，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的igbt测试器件，其特征在于，
6.一种igbt器件，包含如权利要求1-5任一项所述的igbt测试器件，其特征在于，包括：
7.一种igbt测试器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的igbt测试器件制备方法，其特征在于，所述形成沟槽栅极和p型掺杂区的步骤包括：
9.根据权利要求7所述的igbt测试器件制备方法，其特征在于，所述形成n型发射区和n型集电区的步骤包括：
10.一种igbt器件的制备方法，用于制备如权利要求6所述的igbt器件，其特征在于，包括以下步骤：
技术总结
本发明涉及一种IGBT测试器件及其制备方法，以及IGBT器件及其制备方法。IGBT测试器件包括：应用功能区和测试功能区；IGBT测试器件包括：N型漂移区；P型掺杂区；沟槽栅极，沟槽栅极包括沿垂直于沟槽栅极延伸方向的方向依次间隔排列的第一栅极、第二栅极、第三栅极和第四栅极；N型发射区，位于应用功能区，且位于第一栅极和第二栅极之间；N型集电区，位于测试功能区，且位于第三栅极和第四栅极之间；顶部隔离层；测试发射极；测试集电极；测试栅极。本发明提供的IGBT测试器件可以在IGBT在器件表面制程完成后就进行电性测试，可以及时排查问题并对工艺进行调整，减少后续晶圆被异常制程影响的数量，提高产品的整体良率，减小因工艺异常造成的损失。
技术研发人员：何京涛,赵大国,王若飞,王晓峰
受保护的技术使用者：浙江芯晟半导体科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14
文档序号 :
【 40001718 】
技术研发人员：何京涛,赵大国,王若飞,王晓峰
技术所有人：浙江芯晟半导体科技有限责任公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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