一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法与流程

本申请涉及紫外探测器，特别涉及一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法。

背景技术：

1、紫外(ir)光电传感系统可用于森林火灾、导弹预警、紫外成像、保密通信、空间探测、电气放电检测以及刑事侦探等方面。日盲紫外探测器不需要使用制冷装置，对环境适应性较好。

2、理论计算单层锑化铋(bisb)薄膜材料的带隙为(～0.46ev)，其能带结构随半金属组成的变化而变化，最大可到4mev，bi和sb具有相同的菱方晶体结构，晶格失配度△a/a＝5.4％、△c/c＝5.1％，所有成分都形成连续的固溶体。

3、然而，在光电探测器的高响应紫外成像技术中，锑化铋(bisb)材料还没有被研究。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。

2、第一方面，提供了一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其包括：

3、衬底；

4、锑化铋薄膜，其位于所述衬底上；

5、驱动电极，其位于所述锑化铋薄膜上。

6、一些实施例中，所述锑化铋薄膜的厚度为50～100nm。

7、一些实施例中，所述锑化铋薄膜中锑和铋含量分别为66％和34％。

8、一些实施例中，所述衬底采用硅层或者沉积有二氧化硅的硅层。

9、一些实施例中，所述衬底采用沉积有二氧化硅的硅层时，二氧化硅厚度为100～500nm。

10、一些实施例中，所述衬底的厚度为50μm～300μm。

11、一些实施例中，所述驱动电极采用ag、au、c、cu、t i和i n其中一种或多种。

12、第二方面，提供了一种如上所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器的制备方法，其包括：

13、在衬底上，通过双靶材共同溅射的方式，溅射锑和铋靶材以形成固溶体，惰性气体氛围下冷却至室温，得到锑化铋薄膜；

14、在所述锑化铋薄膜上镀上驱动电极。

15、一些实施例中，冷却速率为5～10℃/分钟。

16、一些实施例中，惰性气体采用氩气，气体流量不超过20sccm，气体压力为0.5pa～5pa；

17、和/或，双靶材共同溅射时，磁控溅射机温度不超过300℃，溅射功率都为10～100w。

18、本申请提供的技术方案带来的有益效果包括：

19、本申请实施例提供了一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器及其制备方法，证明了锑化铋材料可以应用于紫外成像技术，并且具有响应速度快，探测率高的优点，可覆盖大部分日盲光区域。

1.一种基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于，其包括：

2.如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：

3.如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：所述锑化铋薄膜(2)中锑和铋含量分别为66％和34％。

4.如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：

5.如权利要求4所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：所述衬底(1)采用沉积有二氧化硅的硅层时，二氧化硅厚度为100～500nm。

6.如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：所述衬底(1)的厚度为50μm～300μm。

7.如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器，其特征在于：所述驱动电极(3)采用ag、au、c、cu、ti和in其中一种或多种。

8.一种如权利要求1所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器的制备方法，其特征在于，其包括：

9.如权利要求8所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器的制备方法，其特征在于：冷却速率为5～10℃/分钟。

10.如权利要求8所述的基于锑化铋薄膜的高响应紫外探测器的制备方法，其特征在于：