半导体器件及其制备方法与流程
技术特征：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一沟槽在垂直于所述半导体器件的厚度方向上的截面呈圆形；和/或，
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述半导体器件的厚度方向上，所述第一沟槽的底壁高于所述电流阻挡层朝向所述漂移层一侧的底表面。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述电流阻挡层背离所述漂移层一侧的顶表面与所述p型调制层背离所述漂移层一侧的顶表面的高度齐平，或者，所述电流阻挡层背离所述漂移层一侧的顶表面高于所述p型调制层背离所述漂移层一侧的顶表面。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为pgan结构gan功率器件，所述栅极为肖特基金属；和/或，
6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二沟槽在垂直于所述半导体器件的厚度方向上的截面呈圆形；和/或，
9.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在提供衬底之后，在所述衬底的一侧形成漂移层之前，所述方法包括：
11.如权利要求10所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在去除衬底之时或去除衬底之后，在形成漏极之前，所述方法还包括：
12.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成源极之前，所述方法还包括：
13.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在提供衬底之后，在所述衬底的一侧形成漂移层之前，所述方法包括：
15.如权利要求13所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成源极之前，所述方法还包括：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括漂移层、P型调制层、电流阻挡层、沟道层、势垒层、第一沟槽、PGaN有源层、栅极、源极及漏极。P型调制层设于漂移层一侧表面的中部区域；电流阻挡层位于P型调制层外围；沟道层位于P型调制层和电流阻挡层背离漂移层一侧，且沟道层覆盖P型调制层及部分电流阻挡层；第一沟槽贯穿沟道层和P型调制层；第一沟槽侧壁呈倾斜状，第一沟槽背离漂移层一侧的开口大于底壁；势垒层位于沟道层背离漂移层一侧及第一沟槽中，位于沟道层背离漂移层一侧的势垒层与沟道层形成异质结结构；PGaN有源层位于第一沟槽；栅极位于PGaN有源层背离漂移层的一侧；源极至少位于电流阻挡层背离漂移层一侧。
技术研发人员：梁帅,樊永辉,许明伟,樊晓兵
受保护的技术使用者：深圳市汇芯通信技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14
技术研发人员：梁帅,樊永辉,许明伟,樊晓兵
技术所有人：深圳市汇芯通信技术有限公司
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