一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法

1.一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，包括二硫化钼层、金属源电极、金属漏电极、绝缘介质层、金属栅电极和图案化起伏的衬底，其中：

2.如权利要求1所述基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，所述二硫化钼单晶晶域的尺寸为50μm～300μm。

3.如权利要求1所述基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，所述金属源电极与所述金属漏电极独立的选自铬/金叠层电极、钛/金叠层电极，其中，所述铬/金叠层电极中的铬层用于与所述二硫化钼层直接接触，所述钛/金叠层电极中的钛层用于与所述二硫化钼层直接接触；

4.如权利要求1所述基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘介质层为氧化硅层、氧化铝层、氧化铪层或氮化硼层。

5.如权利要求1所述基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管，其特征在于，所述图案化起伏的衬底，具体为图案化起伏的蓝宝石衬底、图案化起伏的二氧化硅衬底或图案化起伏的硅衬底。

6.如权利要求1－5任意一项所述基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

7.如权利要求6所述制备方法，其特征在于，子步骤(2)中还使用有碱，具体是将钼酸盐和碱按摩尔比大于等于1：1配比然后同时分散于水中，从而配制得到钼源溶液的；

8.如权利要求6所述制备方法，其特征在于，子步骤(2)中，所述钼酸盐选自钼酸钠、钼酸铵；

9.如权利要求6所述制备方法，其特征在于，步骤s2，是先光刻形成源极和漏极的图案，显影后蒸镀金属源电极材料和金属漏电极材料，从而形成源极和漏极；