负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法
技术特征：
1.一种负压大灌电流供电单元，其特征在于，包括第一正压供电ldo、第二正压供电ldo、负压供电ldo、模拟开关和ddr3供电芯片；其中，
2.根据权利要求1所述的负压大灌电流供电单元，其特征在于，各电压值之间的约束关系如下：
3.一种利用权利要求1或2所述的负压大灌电流供电单元实现的tdicmos成像系统的低负压供电方法，其特征在于，负压大灌电流供电单元的上电时序为：
4.根据权利要求3所述的tdicmos成像系统的低负压供电方法，其特征在于，tdicmos探测器的上电时序为：
5.根据权利要求3或4所述的tdicmos成像系统的低负压供电方法，其特征在于，负压大灌电流供电单元的下电时序为：
6.根据权利要求4所述的tdicmos成像系统的低负压供电方法，其特征在于，tdicmos探测器的下电时序为：
技术总结
本发明涉及航天应用成像技术领域，尤其涉及一种负压大灌电流供电单元及TDICMOS成像系统的低负压供电方法，负压大灌电流供电单元包括第一正压供电LDO、第二正压供电LDO、负压供电LDO、模拟开关和DDR3供电芯片。本发明通过DDR3供电芯片实现大的灌电流，通过将DDR3供电芯片的接地端连接到负压供电LDO输出的负电压上，实现低压且是负压的灌电流，通过对正压供电LDO的使能管脚进行开关控制和对负压供电LDO的使能管脚进行开关控制，从而实现不同的电平转换；通过设计新的探测器的上电时序而避免出现大工作电流。
技术研发人员：余达,司国良,张宇,宁永慧,石俊霞,邵帅,陈欣然
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/11/18
文档序号 :
【 40051070 】
技术研发人员：余达,司国良,张宇,宁永慧,石俊霞,邵帅,陈欣然
技术所有人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
技术研发人员：余达,司国良,张宇,宁永慧,石俊霞,邵帅,陈欣然
技术所有人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除