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一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路的制作方法

2025-03-28 12:00:02 258次浏览

技术特征:

1.一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的偏置电路采用自偏置共源共栅结构的方式配置。

3.根据权利要求2所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的偏置电路包括:mos管m4、mos管m5、mos管m7、mos管m8、mos管m10、mos管m11、mos管m12、mos管m13、三极管q4、三极管q5以及三极管q6,所述的mos管m4、mos管m5以及mos管m6中的源极均连接vcc输入端,mos管m4栅极与mos管m5栅极连接,mos管m4漏极连接mos管m7源极,所述的mos管m5漏极连接mos管m8源极,mos管m5栅极还与自身漏极相连接,形成了一个正反馈回路,所述的mos管m6栅极连接三极管q2集电极,mos管m6源极同样连接vcc输入端,mos管m6漏极通过电阻r4连接mos管m9源极,所述的mos管m7栅极连接mos管m8栅极,mos管m7漏极连接mos管m10漏极,所述的mos管m8源极还与三极管q2集电极相连接,mos管m8漏极连接mos管m11漏极,所述的mos管m9栅极连接三极管q2发射极,mos管m9漏极通过电阻r3连接三极管q6集电极,所述的mos管m10栅极连接mos管m11栅极,并还与自身的漏极相连接,形成一反馈回路,mos管m10源极连接mos管m12漏极,mos管m11源极连接mos管m13漏极,所述的mos管m12栅极连接mos管m13栅极,mos管m12源极连接三极管q4集电极,所述的mos管m13源极连接三极管q5集电极,所述的三极管q4、三极管q5以及三极管q6的基极均与自身的基极连接,形成负反馈回路,且上述三极管q4、三极管q5以及三极管q6的发射极均接地。

4.根据权利要求3所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的mos管m9源极与三极管q6集电极之间并联有二极管d1,用于提供反向电压保护并稳定电压源,避免因电压反接而损坏电路元件。

5.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的带隙核心电路包括:二次启动电路以及带隙基准源,所述的二次启动电路用于在启动阶段提供稳定的电流给带隙核心电路,所述的带隙基准源用于生成一个稳定且精确的参考电压。

6.根据权利要求5所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的二次启动电路包括:三极管q7、三极管q8、三极管q9、三极管q10、电解电容c2以及电解电容c3,所述的三极管q7集电极连接vcc输入端,三极管q7基极连接三极管q8发射极,三极管q7发射极接地,所述的三极管q8基极通过电阻r4连接mos管m6漏极,三极管q8集电极连接vcc输入端,三极管q8发射极还与三极管q9的集电极连接,所述的三极管q9基极通过电阻r3连接mos管m9漏极,三极管q9发射极接地,三极管q9集电极还与三极管q10发射极连接,所述的三极管q10集电极连接vcc输入端,三极管q10基极连接至带隙基准源内,所述的电解电容c2并联在三极管q10基极与发射极之间,所述的电解电容c3三极管q10基极与接地端之间。

7.根据权利要求6所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的带隙基准源包括:三极管q11、三极管q12、三极管q14、三极管q16以及三极管q15,所述的三极管q11集电极连接vcc输入端,三极管q11基极连接至温度补偿电路内,三极管q11发射极连接三极管q15集电极,所述的三极管q12集电极连接vcc输入端,三极管q12发射极连接三极管q14集电极,三极管q12基极连接自身的发射极,形成一个负反馈回路,所述的三极管q15以及三极管q14发射极均通过电阻r5接地,并在三极管q15以及三极管q14基极之间连接电阻r8,所述的三极管q14集电极还与三极管q11基极连接,所述的三极管q16基极与自身集电极连接,三极管q16发射极接地,用于提供一个固定的参考电压或电流。

8.根据权利要求7所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的三极管q15发射极发射面积与三极管q14发射极发射面积比值为n,上述的n是一个常量,且n>1。

9.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的温度补偿电路包括:三极管q13、三极管q18以及三极管q17,所述的三极管q13基极与三极管q11基极相连接,三极管q13集电极连接vcc端,三极管q13发射极接地,所述的三极管q18以及三极管q17集电极并联在带隙基准源中设置的电阻r6与电阻r7之间,三极管q17发射极通过电阻r10接地,三极管q17基极通过电阻r13接地,三极管q18发射极通过电阻r11接地,三极管q18基极连接电阻r12。

10.根据权利要求1所述的一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,其特征在于,所述的启动电路还包括:电阻r1以及r2,用于限流并保护电路元件,确保带隙核心电路在上电后立即进入正确的工作状态。


技术总结
本发明涉及一种基于分段温漂调节技术的带隙基准电路,旨在提供一种能够减少由于温度变化引起的输出电压漂移的电路设计。该带隙基准电路包括:启动电路、偏置电路、温度补偿电路、二次启动电路以及带隙基准源。启动电路包含特定的MOS管和三极管配置,用于在电路上电时为其提供必要的启动条件。偏置电路采用自偏置共源共栅结构,与带隙核心电路耦合,以提供恒定的电流或电压。温度补偿电路连接至带隙核心电路的输出端,根据温度变化调整输出电压。二次启动电路在启动阶段为带隙核心电路提供稳定电流,而带隙基准源则生成一个稳定且精确的参考电压。并通过上述组件的协同作用,实现了对温度变化的高适应性和输出电压稳定性的提升。

技术研发人员:郭虎,李建伟,刘克帅,李小兵
受保护的技术使用者:北京炎黄国芯科技有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
文档序号 : 【 40051213 】

技术研发人员:郭虎,李建伟,刘克帅,李小兵
技术所有人:北京炎黄国芯科技有限公司

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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郭虎李建伟刘克帅李小兵北京炎黄国芯科技有限公司
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