一种电压调节电路、芯片及电子设备的制作方法

1.一种电压调节电路，其特征在于，包括：输入单元、第一晶体管单元、第二晶体管单元和电压调节单元；所述第一晶体管单元分别与所述输入单元、所述第二晶体管单元、所述电压调节单元和外接电源连接，所述第二晶体管单元还分别与所述输入单元和所述电压调节单元连接；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：输出单元；所述输出单元分别与所述第一晶体管单元、所述第二晶体管单元连接；

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述输入单元包括至少一个输入端，所述第一晶体管单元包括至少一个第一晶体管，所述第二晶体管单元包括至少一个第二晶体管；所述输入端的数量、所述第一晶体管的数量和所述第二晶体管的数量相同；每个第一晶体管分别连接对应的输入端，每个第二晶体管分别连接对应的输入端；同一个输入端连接一个第一晶体管和一个第二晶体管；

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为p型金属氧化物半导体pmos晶体管，所述第二晶体管为n型金属氧化物半导体nmos晶体管。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为pmos晶体管，所述第二晶体管为nmos晶体管，且每个第一晶体管并联连接，每个第二晶体管串联连接时，

6.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管为pmos晶体管，所述第二晶体管为nmos晶体管；且每个第一晶体管串联连接，每个第二晶体管并联连接时，

7.根据权利要求4-6任一项所述的电路，其特征在于，每个第一晶体管和每个第二晶体管各自的基底硅设置氧化物绝缘体，每个第一晶体管和每个第二晶体管均通过所述氧化物绝缘体与所述电压调节单元连接；

8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，每个第一晶体管和每个第二晶体管各自根据全耗尽型绝缘体上硅fdsoi工艺在基底硅设置所述氧化物绝缘体。

9.一种芯片，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的电压调节电路。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板和如权利要求9所述的芯片，所述芯片设置在所述电路板上。