含硫的硅氧烷、包含所述含硫的硅氧烷的含硅膜形成用的组合物、含硫的硅氧烷的制造方法、含硅膜以及含硅膜的制造方法与流程
技术特征:
1.一种含硫的硅氧烷,其由下式(1)表示,
2.根据权利要求1所述的含硫的硅氧烷,其中,
3.根据权利要求1或2所述的含硫的硅氧烷,其中,
4.根据权利要求1~3中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
5.根据权利要求1~4中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
6.根据权利要求1~5中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
7.根据权利要求1~6中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
8.根据权利要求1~7中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
9.根据权利要求1~8中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
10.根据权利要求1~9中任一项所述的含硫的硅氧烷,其中,
11.一种含硅膜的前体,其包含如权利要求1~10中任一项所述的含硫的硅氧烷。
12.根据权利要求11所述的前体,其中,
13.根据权利要求11或12所述的前体,其中,
14.一种含硅膜形成用的组合物,其包含如权利要求1~10中任一项所述的含硫的硅氧烷。
15.根据权利要求14所述的组合物,其中,
16.根据权利要求14或15所述的组合物,其中,
17.一种含硫的硅氧烷的制造方法,所述含硫的硅氧烷由下式(1)表示,
18.根据权利要求17所述的含硫的硅氧烷的制造方法,其中,
19.根据权利要求17或18所述的含硫的硅氧烷的制造方法,其中,
20.一种含硅膜的制造方法,其使用下式(1)所示的含硫的硅氧烷,
技术总结
本发明提供一种含硫的硅氧烷,其由下式(1)表示。[式(1)中,A1~10在各自出现时分别独立地为氢原子、有机基团、卤素、OSiRaRbRc所示的硅烷氧基或NRdRe所示的氨基,其中,A1与A3任选地一体为氧原子而形成环状硅氧烷,A4与A6任选地一体为氧原子而形成环状硅氧烷;Ra~e在各自出现时分别独立地为氢原子或有机基团,Rd与Re任选地相互键合而形成环;p和q分别独立地为1~5的整数。]
技术研发人员:平元辉,上野惠英,岛田新大
受保护的技术使用者:住友精化株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/11/14
文档序号 :
【 40003010 】
技术研发人员:平元辉,上野惠英,岛田新大
技术所有人:住友精化株式会社
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
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