含硫的硅氧烷、包含所述含硫的硅氧烷的含硅膜形成用的组合物、含硫的硅氧烷的制造方法、含硅膜以及含硅膜的制造方法与流程

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技术特征：

1.一种含硫的硅氧烷，其由下式(1)表示，

2.根据权利要求1所述的含硫的硅氧烷，其中，

3.根据权利要求1或2所述的含硫的硅氧烷，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的含硫的硅氧烷，其中，

11.一种含硅膜的前体，其包含如权利要求1～10中任一项所述的含硫的硅氧烷。

12.根据权利要求11所述的前体，其中，

13.根据权利要求11或12所述的前体，其中，

14.一种含硅膜形成用的组合物，其包含如权利要求1～10中任一项所述的含硫的硅氧烷。

15.根据权利要求14所述的组合物，其中，

16.根据权利要求14或15所述的组合物，其中，

17.一种含硫的硅氧烷的制造方法，所述含硫的硅氧烷由下式(1)表示，

18.根据权利要求17所述的含硫的硅氧烷的制造方法，其中，

19.根据权利要求17或18所述的含硫的硅氧烷的制造方法，其中，

20.一种含硅膜的制造方法，其使用下式(1)所示的含硫的硅氧烷，

技术总结
本发明提供一种含硫的硅氧烷，其由下式(1)表示。[式(1)中，A1～10在各自出现时分别独立地为氢原子、有机基团、卤素、OSiRaRbRc所示的硅烷氧基或NRdRe所示的氨基，其中，A1与A3任选地一体为氧原子而形成环状硅氧烷，A4与A6任选地一体为氧原子而形成环状硅氧烷；Ra～e在各自出现时分别独立地为氢原子或有机基团，Rd与Re任选地相互键合而形成环；p和q分别独立地为1～5的整数。]

技术研发人员：平元辉,上野惠英,岛田新大
受保护的技术使用者：住友精化株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14

文档序号 : 【 40003010 】

技术研发人员：平元辉,上野惠英,岛田新大
技术所有人：住友精化株式会社

备注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
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平元辉丨上野惠英丨岛田新大丨住友精化株式会社