一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器及其制备方法

1.一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述光滑衬底为透明玻璃或生长有二氧化硅的抛光硅。

3.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述金属导电薄膜为电化学性活性较低的au、pt和w。

4.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述物理气相沉积法为磁控溅射、分子束外延或脉冲激光沉积。

5.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述其他过渡金属氧化物薄膜为氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化铪、氧化锰、氧化铝或氧化镓。

6.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，氧化钨薄膜的衬底加热温度为50～350℃；沉积时间为2～20min；生长功率为50～300w；工作气压为0.5～5pa；在沉积过程中同时通入氩气和氧气，氩气流速为10～50sccm，氧气流速为5～20sccm。

7.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，其他过渡金属氧化物薄膜的衬底加热温度为50～350℃；沉积时间为0.5～8min；生长功率为40～200w；工作气压为0.1～3pa；在沉积过程中同时通入氩气和氧气，氩气流速为5～30sccm，氧气流速为8～30sccm。

8.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤2)中，生长的氧化钨薄膜的晶体结构为非晶、多晶或单晶。

9.根据权利要求1所述的具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述金属导电薄膜为电化学性活性较低的au、pt和w。

10.一种具有复原缓变阻变特性的氧化钨异质结基阻变存储器，其特征在于，采用权利要求1-9任意一项所述制备方法制得，为三明治结构，从下到上依次包括：下电极、氧化钨异质结存储层和上电极。