首页  专利技术  电子电路装置的制造及其应用技术

一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的构建方法和用途

205次浏览

技术特征:

1.一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的构建方法,其特征在于,步骤如下

2.如权利要求1所述的构建方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的碳氮源为硫脲、单氰胺、双氰胺、三聚氰胺或者尿素之间的一种或者多种混合物;煅烧温度为450~650℃,保温时间为2~8h。

3.如权利要求1所述的构建方法,其特征在于,步骤(2)中,

4.如权利要求1所述的构建方法,步骤(3)中,所述的悬浊液浓度为0.2~4mg/ml,滴涂量为10~100μl。

5.如权利要求1所述的构建方法,步骤(4)中,

6.如权利要求1所述的构建方法,步骤(4)中,所述多菌灵适配体、氧乐果适配体或丙溴磷适配体的浓度均为0.1~5μmol/l,滴涂量均为10~50μl。

7.将权利要求1~6任一项所述构建方法制得的双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器用于检测水体环境中的有机农药残留的应用。

8.如权利要求7所述的应用,其特征在于,步骤如下:

9.如权利要求8所述的应用,其特征在于,步骤(5)中,所述的多菌灵、氧乐果或丙溴磷的加入量均为10~100μl,浓度均为1fm~1000nm;

10.如权利要求8所述的应用,其特征在于,步骤(5)和步骤(6)中,所述的磷酸盐缓冲溶液均是通过配置0.1~1m的磷酸二氢钠和磷酸氢二钠互调,使ph为7.0制得,其浓度为0.1~2m。


技术总结
本发明属于光电化学以及分析检测技术领域,公开了一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的制备方法和用途。本发明将双过渡金属氮化物异质结修饰在g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;表面,在过渡金属氮化物中,氮原子的引入造成金属结构的晶格扩张,在界面处产生强电荷空间区域,提高电荷浓度,从而加速g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;材料的电子转移。过渡金属之间具有强电子相互作用,将两种过渡金属氮化物构筑异质结,其内部电场的形成使得异质界面产生高密度电荷,这可以促使g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;材料产生更多的载流子。此外,将异质结构引入至g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;表面,可作为光生电荷的高效传输路径,促进了g‑C<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;上光生载流子的有效分离,进而进一步提升材料的光电性能,最终提高传感器的灵敏度。

技术研发人员:严鹏程,齐志冲,林浩杰,莫曌,徐丽,李赫楠
受保护的技术使用者:江苏大学
技术研发日:
技术公布日:2024/11/14
文档序号 : 【 39999330 】

技术研发人员:严鹏程,齐志冲,林浩杰,莫曌,徐丽,李赫楠
技术所有人:江苏大学

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
严鹏程齐志冲林浩杰莫曌徐丽李赫楠江苏大学
一种基于DQN实现公交上下行动态均衡时刻表生成方法与流程 一种数字场景中保护身份隐私的方法
相关内容