一种可集成的纵向高压器件及其制备方法与流程
技术特征：
1.一种可集成的纵向高压器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，所述平面器件包括所述ldmos晶体管和所述cmos器件；
3.根据权利要求1所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，还包括：p型衬底；
6.根据权利要求1所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，所述平面器件包括所述ldmos晶体管；
7.根据权利要求6所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，所述ldmos晶体管还包括位于所述横向漂移区上方的横向浅槽隔离；
8.根据权利要求1所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，所述平面器件包括所述cmos器件；
9.根据权利要求8所述的可集成的纵向高压器件，其特征在于，
10.一种如权利要求1-9任一项所述的可集成的纵向高压器件的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的可集成的纵向高压器件的制备方法，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的可集成的纵向高压器件的制备方法，其特征在于，
13.根据权利要求10所述的可集成的纵向高压器件的制备方法，其特征在于，所述纵向高压器件还包括p型衬底；所述p型衬底位于所述n型衬底的下方；
技术总结
本发明公开一种可集成的纵向高压器件及其制备方法，可集成的纵向高压器件包括：N型衬底；第一N型外延层，位于N型衬底的上方；第一P阱区，位于第一N型外延层；第二N型外延层，位于第一N型外延层的上方；第二P阱区，位于第二N型外延层，且位于第一P阱区的上方；栅极沟槽，位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；栅极沟槽内设置有纵向栅氧化层和纵向多晶硅栅；纵向体区，也位于未设置第二P阱区的第二N型外延层；纵向体区设置有纵向源区、体重掺杂区和体轻掺杂区；平面器件，位于第二P阱区，且位于第二P阱区的上表面。采用上述技术方案，可以提高压器件的可靠性，实现大面积的功率输出管的集成。
技术研发人员：沈忱
受保护的技术使用者：苏州珂晶达电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14
文档序号 :
【 40000756 】
技术研发人员：沈忱
技术所有人：苏州珂晶达电子有限公司
备 注：该技术已申请专利，仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
声 明 ：此信息收集于网络，如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们，我们会在第一时间删除
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