镁橄榄石颗粒和镁橄榄石颗粒的生产方法与流程

本发明涉及镁橄榄石颗粒和镁橄榄石颗粒的生产方法。

背景技术：

1、镁橄榄石的强度优异，并且用作薄的隔热材料。镁橄榄石具有高绝缘电阻并且广泛用作电绝缘材料。此外，镁橄榄石利用其热膨胀系数高的性质，用于被认为对金属的粘附是重要的如真空管用绝缘部件和金属膜电阻器用基础构件等地方。

2、镁橄榄石具有6.5的介电常数，可用作高频绝缘材料，因为镁橄榄石具有低的介电损耗角正切(tanδ)和低的微波损耗，并且是预期在未来用于5g传播的无机材料。

3、ptl 1公开了一种镁橄榄石微粒的生产方法。在该方法中，将以镁与硅的摩尔比(mg/si)为2的、含有水溶性镁盐和胶体二氧化硅的溶液通过在温度为50℃至低于300℃的气氛中喷雾(spraying)该溶液来干燥，然后通过在温度为800℃至1,000℃的空气气氛中烧成，由此获得通过电子显微镜观察到的一次粒径在1nm至200nm的范围内的镁橄榄石微粒。

4、ptl 2公开了一种硅烷处理的镁橄榄石微粒和硅烷处理的镁橄榄石微粒的有机溶剂分散体的生产方法。该方法包括(a)通过使用珠磨机在含有有机溶剂的分散介质中湿粉碎比表面积为5m2/g至100m2/g的镁橄榄石微粒来获得有机溶剂分散体的步骤和(b)通过将甲基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和/或其水解产物添加到(a)步骤中获得的有机溶剂分散体中，从而使得有机硅化合物与镁橄榄石微粒的质量比(有机硅化合物/镁橄榄石微粒)为0.01至0.50，将甲基三甲氧基甲硅烷基、苯基三甲氧基甲硅烷基、甲基三乙氧基甲硅烷基或甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基甲硅烷基结合到镁橄榄石微粒的表面的步骤。

5、[引用列表]

6、[专利文献]

7、[ptl 1]

8、日本未审查专利申请公开no.2016-222517

9、[ptl 2]

10、日本未审查专利申请公开no.2020-100561

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、然而，关于常规镁橄榄石颗粒和其生产方法的知识是有限的，并且存在研究空间。

3、本发明已经设法解决了如上所述的此类问题并且本发明的目的是提供具有优异特性的镁橄榄石颗粒和镁橄榄石颗粒的生产方法。

4、用于解决问题的方案

5、本发明人已经进行了大量研究以解决上述问题，因此，已经发现使用钼化合物作为助熔剂能够容易地生产镁橄榄石颗粒，并且还能够生产含有钼的镁橄榄石颗粒。这导致本发明的完成。即，本发明包括以下实施方案。

6、(1)一种镁橄榄石颗粒，其含有钼。

7、(2)在项目(1)规定的镁橄榄石颗粒中，通过镁橄榄石颗粒的xrf分析测定，相对于镁橄榄石颗粒100质量％，镁橄榄石颗粒中钼的含量为以moo3计的含量(mo1)0.05质量％至35质量％。

8、(3)在项目(1)或(2)规定的镁橄榄石颗粒中，通过镁橄榄石颗粒的xps表面分析测定，相对于镁橄榄石颗粒的表面层100质量％，各个镁橄榄石颗粒的表面层中钼的含量为以moo3计的含量(mo2)0.05质量％至25质量％。

9、(4)在项目(1)至(3)中任一项规定的镁橄榄石颗粒中，镁橄榄石颗粒的一次颗粒的平均尺寸为0.1μm至100μm。

10、(5)在项目(1)至(4)中任一项规定的镁橄榄石颗粒中，通过bet方法测量，镁橄榄石颗粒的比表面积为0.02m2/g至20m2/g。

11、(6)一种项目(1)至(5)中任一项规定的镁橄榄石颗粒的生产方法，其包括在钼化合物的存在下烧成镁化合物和硅或硅化合物。

12、(7)在项目(6)规定的镁橄榄石颗粒的生产方法中，钼化合物是选自由三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾和钼酸钠组成的组中的至少一种。

13、(8)在项目(6)或(7)规定的镁橄榄石颗粒的生产方法中，镁化合物和硅或硅化合物的烧成温度为800℃至1,600℃。

14、(9)在项目(6)至(8)中任一项规定的镁橄榄石颗粒的生产方法中，烧成的原料中钼与镁和硅的摩尔比(mo/(mg+si))为0.001至5。

15、发明的效果

16、根据本发明，可以提供具有优异特性的镁橄榄石颗粒和镁橄榄石颗粒的生产方法。

1.一种镁橄榄石颗粒，其含有钼。

2.根据权利要求1所述的镁橄榄石颗粒，其中通过所述镁橄榄石颗粒的xrf分析测定，相对于所述镁橄榄石颗粒100质量％，所述镁橄榄石颗粒中钼的含量为以moo3计的含量(mo1)0.05质量％至35质量％。

3.根据权利要求1或2所述的镁橄榄石颗粒，其中通过所述镁橄榄石颗粒的xps表面分析测定，相对于所述镁橄榄石颗粒的表面层100质量％，各个所述镁橄榄石颗粒的所述表面层中钼的含量为以moo3计的含量(mo2)0.05质量％至25质量％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的镁橄榄石颗粒，其中所述镁橄榄石颗粒的一次颗粒的平均尺寸为0.1μm至100μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的镁橄榄石颗粒，其中通过bet方法测量，所述镁橄榄石颗粒的比表面积为0.02m2/g至20m2/g。

6.一种根据权利要求1至5中任一项所述的镁橄榄石颗粒的生产方法，其包括在钼化合物的存在下烧成镁化合物和硅或硅化合物。

7.根据权利要求6所述的镁橄榄石颗粒的生产方法，其中所述钼化合物是选自由三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾和钼酸钠组成的组中的至少一种。

8.根据权利要求6或7所述的镁橄榄石颗粒的生产方法，其中镁化合物和硅或硅化合物的烧成温度为800℃至1,600℃。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的镁橄榄石颗粒的生产方法，其中烧成的原料中钼与镁和硅的摩尔比(mo/(mg+si))为0.001至5。