一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管及其制备方法

1.一种塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管，其特征为该突触晶体管的结构自下而上分别为衬底、半导体层、源漏电极和离子胶栅介电层；

2.如权利要求1所述的塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管的制备方法，其特征为包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管的制备方法，其特征为衬底进行了预处理步骤：

4.如权利要求2所述的塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管的制备方法，其特征为步骤(5)中所述的pvk纳米线掩膜为直径可控(100～800nm)、间距可调(50～300μm)的pvk纳米线阵列。

5.如权利要求2所述的塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管的制备方法，其特征为步骤(7)中所述的氧等离子体刻蚀过程中，通入的氧气流量为30～100sccm，刻蚀功率为20～80w，刻蚀时间为5～60s。

6.如权利要求2所述的塑性可调的石墨烯纳米带基突触晶体管的制备方法，其特征为步骤(8)中所述的离子胶栅介电层的制备方法：将质量比为1：3～5：7的[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子液体以及丙酮混合搅拌，充分溶解后将混合溶液滴涂到干净的载玻片上，烘干后得到离子胶薄膜，其厚度为100～500μm。