射频前端模组及功率放大器的制作方法

1.一种射频前端模组，其特征在于，包括功率放大器，所述功率放大器包括差分功率放大电路和阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括：

2.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一电容的电容值为0.8～1.2pf，所述第二线圈和所述第一线圈的匝数比小于2.8。

3.根据权利要求2所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二线圈和所述第一线圈的匝数比大于或等于1.5。

4.根据权利要求2所述的射频前端模组，其特征在于，所述差分功率放大电路的输出阻抗为第一阻抗值，所述第二线圈的第一端的阻抗为第二阻抗值，所述巴伦用于将所述第一阻抗值转换为所述第二阻抗值，其中所述第二阻抗值大于所述第一阻抗值，且所述第二阻抗值与所述第一阻抗值的比值小于7。

5.根据权利要求4所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一电容用于将所述阻抗匹配电路的输出端的阻抗从所述第二阻抗值转换为第三阻抗值，所述第三阻抗值大于所述第二阻抗值，且所述第三阻抗值与所述第二阻抗值的差值为5～15ω。

6.根据权利要求1所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括开关单元，所述开关单元包括第一开关和第二开关，所述第一开关的第一端以及所述第二开关的第一端分别与所述阻抗匹配电路的输出端连接，所述第一开关的第二端用于连接天线端口，所述第二开关的第二端接地；

7.根据权利要求6所述的射频前端模组，其特征在于，当所述第一开关导通且所述第二开关断开时，所述第二开关产生的寄生电容的电容值为0.5～0.7pf，所述第二开关产生的寄生电容用于增大所述第一开关的第二端的阻抗。

8.根据权利要求6所述的射频前端模组，其特征在于，所述功率放大器用于输出多个频段的射频信号；

9.根据权利要求8所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二线圈和所述第一线圈的匝数比为1.5～2.8，用于将所述第二线圈的第一端的阻抗从所述差分功率放大电路的输出阻抗转换至小于或等于28ω；所述第一电容的电容值为0.8～1.2pf，用于将所述功率放大器的输出阻抗从所述第二线圈的第一端的阻抗转换至小于或等于38ω；所述第二开关产生的寄生电容用于将所述第一开关的第二端的阻抗从所述功率放大器的输出阻抗转换为50ω。

10.根据权利要求1～9任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述阻抗匹配电路还包括第一电感，所述第一电感和所述第一电容串联，所述第一电容和所述第一电感形成第一谐波抑制单元。

11.根据权利要求10所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一谐波抑制单元的谐振频率大于二次谐波的频率且小于三次谐波的频率。

12.根据权利要求10所述的射频前端模组，其特征在于，所述第一电容的电容值为0.8～1.2pf，所述第一电感的电感值为0.5～0.7nh。

13.根据权利要求12所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括基板，所述第一电容为设置于所述基板表面的贴片电容，所述第一电感设置于所述基板的金属层中。

14.根据权利要求1～9任一项所述的射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组还包括基板，所述巴伦设置于所述基板上，所述基板包括至少两层金属层，所述第一线圈和所述第二线圈分别形成于相邻的第一金属层和第二金属层中。

15.根据权利要求14所述的射频前端模组，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的射频前端模组，其特征在于，所述第二主体部沿金属层的层叠方向在所述第一金属层内的投影位于所述第一主体部和所述开口内。

17.一种射频前端模组，其特征在于，包括功率放大器和开关芯片，所述功率放大器包括差分功率放大电路和阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路包括：

18.根据权利要求17所述的射频前端模组，其特征在于，所述开关单元包括第一开关和第二开关，所述第一开关的第一端以及所述第二开关的第一端分别与所述阻抗匹配电路的输出端连接，所述第一开关的第二端用于连接天线端口，所述第二开关的第二端接地；

19.根据权利要求18所述的射频前端模组，其特征在于，当所述开关单元导通时，所述第一电容与所述第二开关的寄生电容并联，所述第一电容与所述第二开关的寄生电容之和为1.3～1.9pf。

20.一种功率放大器，其特征在于，包括差分功率放大电路和阻抗匹配电路；