图像传感器及其形成方法与流程
技术特征:
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于:
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,所述部分侧向隔离结构位于相邻的光电二极管区域之间;
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其特征在于,所述背部隔离结构在所述半导体衬底的正面的投影横跨对称的两个光电二极管区域。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的图像传感器,所述背部隔离结构在所述半导体衬底的正面的投影位于单个光电二极管区域内,或者,所述背部隔离结构在所述半导体衬底的正面的投影横跨相邻的两个光电二极管区域。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,
8.根据权利要求1至7任一项所述的图像传感器,其特征在于,
9.根据权利要求1至7任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述背部隔离结构还包括:
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其特征在于,所述垂直交叉隔离槽选自:
12.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,
13.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
14.根据权利要求13所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,
技术总结
一种图像传感器及其形成方法,所述图像传感器包括:子像素阵列,所述图像传感器的像素区域中包含多个子像素阵列,每个子像素阵列的半导体衬底内包含多个呈中心对称排列的子像素,每个子像素均含有光电二极管区域;侧向隔离结构,包含完全侧向隔离结构和成对的部分侧向隔离结构,所述完全侧向隔离结构形成于所述半导体衬底的正面并完全隔断所述半导体衬底,用于分隔相邻子像素阵列,所述部分侧向隔离结构与所述完全侧向隔离结构同时形成于所述半导体衬底的正面,部分隔断所述半导体衬底;背部隔离结构,形成于所述半导体衬底的背面。本发明可以有效减轻高光溢出的影响,提高FWC,提升器件品质。
技术研发人员:陈青钰,黄琨
受保护的技术使用者:格科微电子(上海)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/14
文档序号 :
【 40001117 】
技术研发人员:陈青钰,黄琨
技术所有人:格科微电子(上海)有限公司
备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
声 明 :此信息收集于网络,如果你是此专利的发明人不想本网站收录此信息请联系我们,我们会在第一时间删除
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