一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件的制作方法
技术特征：
1.一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，包括多层jfet区域模块；
2.根据权利要求1所述的改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，所述第一jfet区域层(4)的宽度和第三jfet区域层(6)的宽度相等。
3.根据权利要求2所述的改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，所述碳化硅场效应管器件还包括关于同一中心轴线均呈水平对称的金属漏极层(1)、n+衬底层(2)、n-外延层(3)、pwell区域层、nplus区域层、pplus区域层、金属源极层、栅氧层(12)和多晶硅栅极层(13)，其中，该中心轴线与第一jfet区域层(4)、第二jfet区域层(5)和第三jfet区域层(6)呈水平对称时对应的中心轴线为同一轴线；
4.根据权利要求1所述的改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，所述多层jfet区域模块还包括第四jfet区域层；所述第四jfet区域层包括2个第四jfet区域子层(7)；所述第三jfet区域层(6)水平方向两侧分别与第四jfet区域子层(7)的一侧连接；所述第三jfet区域层(6)及水平方向两侧的第四jfet区域子层(7)的宽度总和与第一jfet区域层(4)的宽度相等；所述第四jfet区域子层(7)的n型掺杂浓度大于第三jfet区域层(6)的n型掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，所述碳化硅场效应管器件还包括关于同一中心轴线均呈水平对称的金属漏极层(1)、n+衬底层(2)、n-外延层(3)、pwell区域层、nplus区域层、pplus区域层、金属源极层、栅氧层(12)和多晶硅栅极层(13)，其中，该中心轴线与第一jfet区域层(4)、第二jfet区域层(5)和第三jfet区域层(6)呈水平对称时对应的中心轴线为同一轴线；
6.根据权利要求3或5任意一项所述的改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，其特征在于，所述多晶硅栅极层(13)为平面栅极或分离栅极。
技术总结
本发明公开了一种改善栅极电场的碳化硅场效应管器件，属于半导体器件技术领域，包括多层JFET区域模块；所述多层JFET区域模块包括从下到上依次堆叠的第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层；所述第一JFET区域层的宽度和第三JFET区域层的宽度均大于第二JFET区域层的宽度；所述第一JFET区域层、第二JFET区域层和第三JFET区域层均为n型掺杂区域；所述第一JFET区域层和第二JFET区域层的n型掺杂浓度均大于第三JFET区域层的n型掺杂浓度；所述第二JFET区域层的n型掺杂浓度大于第一JFET区域层的n型掺杂浓度。本发明解决了碳化硅场效应管器件长期使用可靠性不足的问题。
技术研发人员：汪志刚,黄孝兵,钟驰宇,余建祖,张卓,熊琴
受保护的技术使用者：强华时代（成都）科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/11/14
技术研发人员：汪志刚,黄孝兵,钟驰宇,余建祖,张卓,熊琴
技术所有人：强华时代（成都）科技有限公司
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