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一种微带线和同轴微带过渡结构的制作方法

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一种微带线和同轴微带过渡结构的制作方法

本公开实施例涉及射频信号传输,尤其涉及一种微带线和同轴微带过渡结构。


背景技术:

1、在射频信号传输技术中,射频信号常用的传输方式主要有波导传输、微带传输、同轴传输。根据不同的应用场景,会采用不同的传输方式。当射频信号需要在不同的传输方式之间传输时,会产生信号的不连续性问题,影响射频信号的质量。

2、在相关技术中,设计的过渡结构存在射频信号在微带传输和同轴传输之间转换时,由于传输方式的不同,产生信号不连续性影响射频信号质量的问题。

3、因此,有必要改善上述相关技术方案中存在的一个或者多个问题。

4、需要注意的是,本部分旨在为权利要求书中陈述的本公开的技术方案提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。


技术实现思路

1、为了避免现有技术的不足之处,本发明提供一种微带线和同轴微带过渡结构,用以解决现有技术中存在射频信号在微带传输和同轴传输之间转换时,由于传输方式的不同,产生信号不连续性影响射频信号质量的问题。

2、根据本公开实施例的第一方面,提供一种微带线,包括:

3、介质基板、上覆铜层和下覆铜层;

4、所述介质基板包括第一子基板和第二子基板,所述上覆铜层布设在所述介质基板的上部,所述下覆铜层布设在所述介质基板的底部,所述第一子基板的中心设有贯穿所述上覆铜层和所述下覆铜层且呈月牙形的异形通孔;其中,

5、所述上覆铜层包括u型覆铜层和线性覆铜层,所述u型覆铜层设置在所述第一子基板上且部分延伸至所述第二子基板,所述线性覆铜层包括依次相连的第一阶梯段、第二阶梯段和第三阶梯段,所述第一阶梯段和所述第二阶梯段设置在所述u型覆铜层的开口内,且所述第一阶梯段与所述异形通孔的中心的距离为预设值。

6、进一步地,所述介质基板的厚度为0.254mm。

7、进一步地,所述第一子基板的长度为l1,l1∈[4.30mm-4.50mm],所述第一子基板的宽度为w1,w1∈[4.30mm-4.50mm]。

8、进一步地,所述第三阶梯段的宽度为w2,w2∈[0.76mm-0.80mm],所述第二子基板的宽度为w3,w3∈[2.70mm-2.90mm],所述第一阶梯段的长度为l2,l2∈[1.03mm-1.07mm],所述第一阶梯段的长度为w4,w4∈[0.28mm-0.32mm],所述第二阶梯段的长度为l3,l3∈[1.48mm-1.52mm],所述第二阶梯段的长度为w5,w5∈[0.51mm-0.53mm]。

9、进一步地,所述u型覆铜层的开口包括第一段开口和第二段开口,所述第一段开口的宽度大于所述第二段开口的宽度,且所述第一段开口与所述异形通孔连通;其中,

10、所述第一段开口的宽度为w6,w6∈[1.08mm-1.12mm],所述第二段开口的宽度为w7,w7∈[0.88mm-0.92mm],所述第一段开口靠近所述第二子基板的一端与所述第一子基板远离所述第二子基板的一端的长度为l4,l4∈[4.08mm-4.12mm],所述第二段开口的长度为l5,l5∈[0.98mm-1.02mm]。

11、进一步地,所述异形通孔的半径为r1,r1∈[0.79mm-0.83mm],所述第一阶梯段靠近所述异形通孔的一端呈圆弧状,且其半径为r2,r2∈[0.13mm-0.17mm],所述介质基板与所述异形通孔连接处包括一个呈凸起状圆弧的凸起部和两个呈凹陷状圆弧的凹陷部,所述凸起部的半径为r3,r3∈[0.23mm-0.27mm],所述凹陷部的半径为r4,r4∈[0.18mm-0.22mm]。

12、进一步地,所述介质基板上的所述凸起部与所述异形通孔的圆心的距离为s1,s1∈[0.03mm-0.07mm],所述第一段开口靠近所述第二子基板的一端与所述异形通孔的圆心的距离为s2,s2∈0.08mm-0.12mm]。

13、进一步地,所述第一子基板上还设有贯穿所述上覆铜层和所述下覆铜层的接地孔,所述接地孔沿所述第一子基板的中心环形设置,所述接地孔的直径为d1,d1∈[0.38mm-0.42mm],所述接地孔的圆心与所述第一子基板的中心的距离为r5,r5∈[1.78mm-1.82mm]。

14、根据本公开实施例的第二方面,提供一种同轴微带过渡结构,包括:ssmp同轴连接器和上述任一项所述微带线;其中,

15、所述ssmp同轴连接器设置在所述第一子基板上,所述ssmp同轴连接器内设有呈90°弯折的内芯,所述内芯的一端延伸至所述第二阶梯段处。

16、本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:

17、本公开的实施例中,通过上述微带线和同轴微带过渡结构,一方面,该过渡结构由垂直设置的ssmp同轴连接器和特定图形的微带线组成,具有工作带宽较宽的特点,且该过渡结构的端口驻波比小。另一方面,在节约安装空间的基础上能够满足工作带宽宽、损耗低的需求。



技术特征:

1.一种微带线,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述微带线,其特征在于,所述介质基板的厚度为0.254mm。

3.根据权利要求1所述微带线,其特征在于,所述第一子基板的长度为l1,l1∈[4.30mm-4.50mm],所述第一子基板的宽度为w1,w1∈[4.30mm-4.50mm]。

4.根据权利要求1所述微带线,其特征在于,所述第三阶梯段的宽度为w2,w2∈[0.76mm-0.80mm],所述第二子基板的宽度为w3,w3∈[2.70mm-2.90mm],所述第一阶梯段的长度为l2,l2∈[1.03mm-1.07mm],所述第一阶梯段的长度为w4,w4∈[0.28mm-0.32mm],所述第二阶梯段的长度为l3,l3∈[1.48mm-1.52mm],所述第二阶梯段的长度为w5,w5∈[0.51mm-0.53mm]。

5.根据权利要求1所述微带线,其特征在于,所述u型覆铜层的开口包括第一段开口和第二段开口,所述第一段开口的宽度大于所述第二段开口的宽度,且所述第一段开口与所述异形通孔连通;其中,

6.根据权利要求5所述微带线,其特征在于,所述异形通孔的半径为r1,r1∈[0.79mm-0.83mm],所述第一阶梯段靠近所述异形通孔的一端呈圆弧状,且其半径为r2,r2∈[0.13mm-0.17mm],所述介质基板与所述异形通孔连接处包括一个呈凸起状圆弧的凸起部和两个呈凹陷状圆弧的凹陷部,所述凸起部的半径为r3,r3∈[0.23mm-0.27mm],所述凹陷部的半径为r4,r4∈[0.18mm-0.22mm]。

7.根据权利要求6所述微带线,其特征在于,所述介质基板上的所述凸起部与所述异形通孔的圆心的距离为s1,s1∈[0.03mm-0.07mm],所述第一段开口靠近所述第二子基板的一端与所述异形通孔的圆心的距离为s2,s2∈0.08mm-0.12mm]。

8.根据权利要求1所述微带线,其特征在于,所述第一子基板上还设有贯穿所述上覆铜层和所述下覆铜层的接地孔,所述接地孔沿所述第一子基板的中心环形设置,所述接地孔的直径为d1,d1∈[0.38mm-0.42mm],所述接地孔的圆心与所述第一子基板的中心的距离为r5,r5∈[1.78mm-1.82mm]。

9.一种同轴微带过渡结构,其特征在于,包括:


技术总结
本申请属于射频信号传输技术领域。本申请提供一种微带线和同轴微带过渡结构。该同轴微带过渡结构包括:微带线和SSMP同轴连接器。微带线包括介质基板、上覆铜层和下覆铜层;介质基板包括第一子基板和第二子基板,上覆铜层布设在介质基板的上部,下覆铜层布设在介质基板的底部,第一子基板的中心设有贯穿上覆铜层和下覆铜层且呈月牙形的异形通孔。SSMP同轴连接器内设有呈90°弯折的内芯。本公开实施例的过渡结构由垂直设置的SSMP同轴连接器和特定图形的微带线组成,具有工作带宽较宽的特点,且该过渡结构的端口驻波比小。在节约安装空间的基础上能够满足工作带宽宽、损耗低的需求。

技术研发人员:张思明,李磊,张勇,张国强,谢敏
受保护的技术使用者:西安电子工程研究所
技术研发日:
技术公布日:2024/11/14
文档序号 : 【 40002634 】

技术研发人员:张思明,李磊,张勇,张国强,谢敏
技术所有人:西安电子工程研究所

备 注:该技术已申请专利,仅供学习研究,如用于商业用途,请联系技术所有人。
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张思明李磊张勇张国强谢敏西安电子工程研究所
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