一种镂空硅胶垫及其制备方法与流程

本发明涉及硅胶垫制备领域；具体涉及一种镂空硅胶垫及其制备方法。

背景技术：

1、硅胶垫是硅胶制品中市场需求比较多的一类产品。它有一定的张力、柔韧性，优良的绝缘性、耐压、耐高温、耐低温、化学性质稳定、环保安全、无异味，不溶于水和任何溶剂，是一种高活性的绿色产品。

2、其中镂空硅胶垫因其独特的结构和优良的性能，在家居生活、厨房用品、工业领域、医疗领域等多个领域有着广泛的应用。但是在镂空硅胶垫的制备过程中还存在一些问题，其中原材料的性质不稳定，在生产中难成型，会残存气泡和杂质，硫化不充分影响产品的性能、镂空的均匀性、外观和使用寿命。

3、因此，发明一种性质稳定、镂空均匀的硅胶垫是很有必要的。

技术实现思路

1、针对上述现有的技术问题，本发明旨在提供一种镂空硅胶垫及其制备方法，通过此方法制备的镂空硅胶垫硬度适中，抗撕裂能力更强，耐腐蚀性质更稳定，孔径均匀，还没有气泡存在。

2、本发明公开了一种镂空硅胶垫，由以下重量份的组分组成：

3、生胶50～80份；硅石10～15份；配合剂3～5份；合成纤维1～3份；交联剂1～2份；脱模剂0.1～0.3份；稀释剂0.1～0.2份；硫化剂1～2份。

4、优选地，配合剂是由石蜡和硬脂酸按质量比为1：(1.1～1.3)组成的。

5、优选地，交联剂是由硅烷和钛酸酯按质量比为1：(0.8～1.0)组成的。

6、本发明还公开了一种镂空硅胶垫的制备方法，包括以下步骤：

7、ss1液态硅胶制备：将准备好的生胶、硅石、配合剂、合成纤维、交联剂、脱模剂和稀释剂添加到混料机中进行混合，在真空条件下进行搅拌，得到均匀的液态硅胶；

8、s2浇注和半固化硫化：将s1步骤中得到的液态硅胶浇注到模具中，将浇注好的硅胶模具放入高温烘箱中进行进行半固化处理，控制半固化温度和半固化的时间，待半固化结束后，得到半固态硅胶垫；对半固态硅胶进行硫化处理，控制硫化温度和硫化时间，待硫化结束后，得到固态硅胶垫；

9、s3脱模与后处理：将s2步骤中的固态硅胶从模具中取出，对其进行表面处理，得到镂空硅胶垫。

10、优选地，在s1液态硅胶制备步骤，混料机的搅拌速度为500～1000rpm。

11、优选地，在s1液态硅胶制备步骤，混料机的搅拌时间为1.5～2.5h。

12、优选地，在s1液态硅胶制备步骤，真空条件下的反应时间为1～1.5h。

13、优选地，在s1液态硅胶制备步骤，真空状态下的真空度≤1mpa。

14、优选地，在s2浇注和硫化步骤，半固化过程中的半固化温度为80～100℃；半固化时间为5～10min。

15、优选地，在s2浇注和硫化步骤，硫化过程中的硫化温度为130～150℃；硫化时间为0.5～1h。

16、与现有技术相比，本发明的有益效果是：

17、本发明提供的一种镂空硅胶在原料中添加了配合剂、合成纤维、交联剂、稳定剂、脱模剂和稀释剂。其中添加一定量的合成纤维是为了增强镂空硅胶垫的机械强度，限制其变形；添加一定比例的脱模剂是为了在镂空硅胶垫成型后更好更快的从模具上剥落；添加一点比例的稀释剂是为了在浇注过程中液体硅胶的流动性更好，防止气泡的产生；所用交联剂是由硅烷和钛酸酯按照一定质量比混合而成的复合交联剂，此交联剂可以在硫化反应中更加快速的形成硅-硫键，缩短硫化时间且保证所形成硅-硫键的交联结构的稳定性；由于交联剂和稀释剂的连用，使得成型后的硅胶垫镂空大小很均匀，且后期不易变形。

18、本发明还提供了一种镂空硅胶垫的制备方法，在s2浇注和半固化硫化的步骤中，先将液态硅胶在一定的温度下进行半固化，当形成半固态硅胶时进行硫化，这样使硫化更快速且形成的结构更稳定。

1.一种镂空硅胶垫，其特征在于，由以下重量份组分组成：

2.根据权利要求1所述的一种镂空硅胶垫，其特征在于，所述配合剂是由石蜡和硬脂酸按质量比为1：(1.1～1.3)组成的。

3.根据权利要求1所述的一种镂空硅胶垫，其特征在于，所述交联剂是由硅烷和钛酸酯按质量比为1：(0.8～1.0)组成的。

4.一种镂空硅胶垫的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

5.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s1液态硅胶制备步骤，所述混料机的搅拌速度为500～1000rpm。

6.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s1液态硅胶制备步骤，所述混料机的搅拌时间为1.5～2.5h。

7.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s1液态硅胶制备步骤，所述真空条件下的反应时间为1～1.5h。

8.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s1液态硅胶制备步骤，所述真空状态下的真空度≤1mpa。

9.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s2浇注和硫化步骤，所述半固化过程中的半固化温度为80～100℃；半固化时间为5～10min。

10.根据权利要求4所述的一种镂空硅胶的制备方法，其特征在于，在s2浇注和硫化步骤，所述硫化过程中的硫化温度为130～150℃；硫化时间为0.5～1h。