减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法、研磨方法与硅片与流程

1.一种减少硅片单面研磨前表面大颗粒的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗包括：将硅片置于清洗液中进行超声处理；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述清洗液清洗包括：将硅片置于清洗液中；

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述清洗液超声清洗与清洗液清洗中的清洗液中清洗剂的质量浓度分别独立地为2～6wt％。

5.根据权利要求1～4任一项所述的方法，其特征在于，所述保湿液清洗包括：将硅片置于保湿液中；

6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述慢提拉干燥的提拉速度为0.8～3mm/s；

7.根据权利要求1～6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括：

8.一种硅片的研磨方法，其特征在于，所述研磨方法包括：将硅片进行双面研磨后，减少硅片表面大颗粒，再进行单面研磨；

9.根据权利要求8所述的研磨方法，其特征在于，所述硅片为硅晶圆直径为不小于300mm的硅片；

10.一种研磨后硅片，其特征在于，所述研磨后硅片由权利要求8或9所述的研磨方法得到，所述研磨后硅片的良品率不低于99％。