一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置、方法及设备与流程

本申请属于电力设施，具体涉及一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置、方法及设备。

背景技术：

1、中压交联电缆是一种可以用于输电、变电以及配电的关键电力设备。中压交联电缆一般使用半导电屏蔽材料来均匀导体表面电场，减少导体表面因导丝效应所增加的最大工作场强，以及减弱导体表面刺入绝缘层的金属毛刺附近的电场强度，从而避免局部场强过高，破坏电缆绝缘层的绝缘性能的情况。其中，半导电屏蔽材料的交联程度是评估一个半导电屏蔽材料的性能表现的重要参数。

2、而对于已经生产出的中压交联电缆，因为半导电屏蔽材料处于电缆内部，无法对其交联程度进行直接评估。若是破坏电缆绝缘层来评估半导电屏蔽材料的交联程度，将造成大量的资源浪费，即造成不必要的经济损失。因此，如何能够快速、准确地评估生产出的中压交联电缆的半导电屏蔽材料的交联程度是本领域人员亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例的目的是提供一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置、方法及设备，目的在于快速、准确地确定当前半导电屏蔽材料的交联程度，从而可以根据该交联程度及时改进后续的交联工艺，提高半导电屏蔽材料的性能表现。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，所述装置包括：

3、数据获取模块，用于获取至少一种基体材料参数的半导电屏蔽样本在热老化实验中的直流电阻率数据以及交联程度数据；

4、映射曲线确定模块，用于构建各基体材料参数的半导电屏蔽材料的理论电阻率与交联程度的映射曲线；

5、交联程度确定模块，用于根据当前半导电屏蔽材料的直流电阻率数据以及所述映射关系，确定当前半导电屏蔽材料的交联程度。

6、第二方面，本申请实施例提供了一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产方法，所述方法包括：

7、通过数据获取模块获取至少一种基体材料参数的半导电屏蔽样本在热老化实验中的直流电阻率数据以及交联程度数据；

8、通过映射曲线确定模块构建各基体材料参数的半导电屏蔽材料的理论电阻率与交联程度的映射曲线；

9、通过交联程度确定模块根据当前半导电屏蔽材料的直流电阻率数据以及所述映射关系，确定当前半导电屏蔽材料的交联程度。

10、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。

11、第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。

12、第五方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第一方面所述的方法。

13、在本申请实施例中，数据获取模块，用于获取至少一种基体材料参数的半导电屏蔽样本在热老化实验中的直流电阻率数据以及交联程度数据；映射曲线确定模块，用于构建各基体材料参数的半导电屏蔽材料的理论电阻率与交联程度的映射曲线；交联程度确定模块，用于根据当前半导电屏蔽材料的直流电阻率数据以及所述映射关系，确定当前半导电屏蔽材料的交联程度。上述控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，通过构建半导电屏蔽材料的理论电阻率与交联程度的映射曲线，可以快速、准确地确定当前半导电屏蔽材料的交联程度，从而可以根据该交联程度及时改进后续的交联工艺，提高半导电屏蔽材料的性能表现。

1.一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述装置包括：

2.根据权利要求1所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述映射曲线确定模块，具体用于：

3.根据权利要求1所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述数据获取模块，具体用于：

4.根据权利要求3所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述映射曲线确定模块，具体用于：

5.根据权利要求1所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述基体材料参数包括eva基以及硅橡胶基；

6.根据权利要求5所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述eva基数据获取单元，具体用于：

7.根据权利要求5所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产装置，其特征在于，所述硅橡胶基数据获取单元，具体用于：

8.一种控制中压交联电缆半导电层交联度的生产方法，其特征在于，所述方法包括：

9.根据权利要求8所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产方法，其特征在于，通过映射曲线确定模块构建各基体材料参数的半导电屏蔽材料的理论电阻率与交联程度的映射曲线，包括：

10.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求8-9中任一项所述的控制中压交联电缆半导电层交联度的生产方法的步骤。